成膜加工

特徴

• １枚から注文可能
• 最短３日で成膜可能（数量・受注状況により変動）
• １枚毎・１バッチ毎に成膜条件を変更できる。（要相談）
• ガラス・フィルム・Ｓｉウエハ等いろいろな基材に対応。
• 層間絶縁膜上でも成膜が可能です。（密着については要相談）
• 成膜からパターン加工・小片化まで自社内で加工が可能です。

ターゲットと基板サイズ

保有ターゲット

Ａｕ　Ｃｕ　Ｔｉ　Ｎｉ　Ｃｒ　Ａｌ　Ｍｏ　Ｗ

ＡｌＮｄ　ＭｏＮｂ　ＮｉＣｒ　ＡＰＣ　ＮｉＶ

※　ＡｕとＡＰＣ・ＮiＶは、Φ２００までとなります。

装置毎の基板サイズ

成膜装置	方式	電源	基板サイズ
１号機 Ｌ・Ｌ方式	サイドスパッタ	ＲＦ・ＤＣ	～Φ２００ｍｍまで（Φ８インチ） ～１４０ｍｍ×１４０ｍｍまで Φ２００ｍｍ迄なら形状不問
２号機 バッチ	サイドスパッタ	ＲＦ・ＤＣ	～Φ３８０ｍｍまで（Φ１４インチ） ～２７０ｍｍ×２７０ｍｍまで Φ３８０ｍｍ迄なら形状不問

・逆スパッタも対応してます。
・表に無いターゲットやオーバーサイズの基板でも協力会社で対応可能です。
・サイドスパッタのため、４辺または４隅に基板押えの未成膜部分ができます。

２号機外観

成膜とは（ＴＣＮの成膜方式）

ガラスや樹脂、金属、紙などの基板の表面に薄い膜をつけることです。

電子機器や半導体などの基板表面に成膜することで、表面が保護されたり、電気を通したり、電気を通さないようにしたり、映り込みを防いだり、さまざまな機能をプラスすることができます。

成膜方法（代表例）

スパッタリング（ＴＣＮの成膜方式）

薄膜を製造するための方法の１つで、グロー放電を利用し、Ａｒを陽イオン化させ、陰極にあるターゲットにぶつかることにより、ターゲット材料から粒子を叩き出し、基板上に薄膜を堆積させる方法です。このプロセスは高い膜品質と均一性を提供し、微細な構造や多層薄膜の形成に適しています。真空中で行われ、フィルムやセラミックスなどの広範な材料に対応可能で、ＭEMS・半導体製造やディスプレイ技術、光学コーティングなど幅広い応用があります。

ＴＣＮでは、サイドスパッタ方式を採用しております。